2026年研究生招生信息网，中国科学院半导体研究所研究生院介绍（机构概况）

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中国科学院半导体研究所（以下简称“半导体所”）自1960年成立以来，始终是中国半导体科技领域的核心力量。作为中国科学院直属的综合性研究机构，其研究生教育体系依托深厚的科研积累和前沿的学科布局，形成了以半导体物理、材料、器件及集成技术为核心的培养特色。以下从多个维度全面解析其研究生院的建设与发展。

半导体所研究生教育覆盖半导体物理、材料科学、光电子器件、微电子技术等多个领域，设有3个博士后流动站、8个学术型学科博士点及2个专业学位硕士点。研究方向包括：

凝聚态物理与量子结构：聚焦半导体量子输运、激子-光子相互作用等基础理论，推动新型光电器件研发。

先进半导体材料：涵盖宽禁带半导体（如SiC、GaN）、低维材料（如量子点、纳米结构）的生长与表征，支撑高性能器件制备。

光电子集成与芯片技术：开发光子晶体激光器、硅基混合集成芯片等，应用于通信、传感与人工智能领域。

研究所汇聚了8名中国科学院院士、1名中国工程院院士，并拥有53名高层次引进人才、18名国家杰出青年基金获得者。导师团队兼具学术造诣与工程经验，例如：

牛智川研究员：带领团队突破2μm波段高性能单模激光器技术，打破国际垄断。

汪林望教授：在自旋电子学领域取得多项原创成果，指导学生参与国家级重点项目。

研究生可依托2个国家级研究中心、3个全国重点实验室及多个院级实验室开展研究，包括：

光电子材料与器件全国重点实验室：专注于高性能激光器、探测器等器件研发。

半导体芯片物理与技术全国重点实验室：聚焦芯片设计、工艺集成与测试技术。

半导体集成技术工程研究中心：配备价值过亿元的纳米加工设备，支撑芯片制造与封装技术攻关。

研究所在多个领域实现技术突破：

激光技术：开发出低发散角光子晶体激光器，技术转移至产业界。

量子器件：研制共振隧穿二极管（RTD）集成电路，频率达10GHz以上。

第三代半导体：在GaN基深紫外LED、射频器件等领域达到国际领先水平。

近五年获国家自然科学奖、科技进步奖等多项荣誉，并推动成果在光通信、医疗等领域的应用。

研究生教育注重理论与实践结合，培养方案包括：

课程教学：开设《半导体量子电子器件物理》等核心课程，由院士及杰青授课。

项目实践：学生深度参与国家973、863计划及重点研发项目，积累工程经验。

学术交流：定期举办国际会议（如HPBD&IS），与沙特阿卜杜拉国王科技大学等机构联合培养。

研究所与地方政府、企业共建9个联合实验室及3个研发中心，例如：

迅捷光电联合实验室：推动光电子器件产业化。

半导体照明联合创新中心：孵化出130lm/W高亮度白光LED技术。

研究生可通过校企合作项目接触产业需求，参与技术转移与产品开发。

通过国家留学基金委项目、国际联合实验室等渠道，支持学生赴海外深造。例如：

与东京大学、剑桥大学合作开展光子晶体激光器研究。

主办国际高性能大数据暨智能系统会议，提升学术影响力。

毕业生广泛就职于科研院所、高新技术企业及高校，如华为、中芯国际、清华大学等。部分人才投身国家重大工程，如“半导体照明工程”“5G通信芯片研发”等，推动行业技术进步。

中国科学院半导体研究所研究生院以国家战略需求为导向，构建了“基础研究-技术突破-产业应用”的全链条培养模式。其融合顶尖科研资源、跨学科导师团队与国际化视野的教育体系，为中国半导体领域输送了大批高层次创新人才，持续支撑科技自立自强与产业升级。